المزيد من فئات المنتجات

Microsemi Corporation APTM120U10DAG

Name: APTM120U10DAG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120U10DAG
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: APTM120U10DAG

المصنع: Microsemi Corporation

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: SP6

ورقة البيانات: APTM120U10DAG.pdf

الوصف: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج APTM120U10DAG بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ APTM120U10DAG؟

APTM120U10DAG هو منتج من Microsemi Corporation ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد APTM120U10DAG، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ APTM120U10DAG

نظرة عامة على المنتج

APTM120U10DAG هو منتج من Microsemi Corporation ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CH 1200V 160A SP6. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: APTM120U10DAG
الشركة المصنعة: Microsemi Corporation
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: SP6
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام APTM120U10DAG في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ APTM120U10DAG، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Bulk
Series:
-
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
160A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
120mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 20mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
1100 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
28900 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
3290W (Tc)
OperatingTemperature:
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Chassis Mount
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
APTM120U10DAG.pdf

APTM120U10DAG - الأسئلة الشائعة

هل APTM120U10DAG متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض APTM120U10DAG على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 3531. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ APTM120U10DAG؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ APTM120U10DAG هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل APTM120U10DAG أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير APTM120U10DAG من Microsemi Corporation عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ APTM120U10DAG؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ APTM120U10DAG؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ APTM120U10DAG. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	APT30M85SVFRG	APT10043JVR	APT12F60K	APT15F50K	APT20F50B
المصنع	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation
Packaging	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk	Bulk
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	160A (Tc)	160A (Tc)	160A (Tc)	160A (Tc)	160A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	120mOhm @ 58A, 10V	120mOhm @ 58A, 10V	120mOhm @ 58A, 10V	120mOhm @ 58A, 10V	120mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 20mA	5V @ 20mA	5V @ 20mA	5V @ 20mA	5V @ 20mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	1100 nC @ 10 V	1100 nC @ 10 V	1100 nC @ 10 V	1100 nC @ 10 V	1100 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±30V	±30V	±30V	±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	28900 pF @ 25 V	28900 pF @ 25 V	28900 pF @ 25 V	28900 pF @ 25 V	28900 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	3290W (Tc)	3290W (Tc)	3290W (Tc)	3290W (Tc)	3290W (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount	Chassis Mount