جميع الفئات

المزيد من فئات المنتجات

onsemi FQP50N06

Name: FQP50N06
Brand: onsemi
SKU: FQP50N06
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: FQP50N06

المصنع: onsemi

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: TO-220-3

ورقة البيانات: FQP50N06.pdf

الوصف: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج FQP50N06 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ FQP50N06؟

FQP50N06 هو منتج من onsemi ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد FQP50N06، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ FQP50N06

نظرة عامة على المنتج

FQP50N06 هو منتج من onsemi ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: FQP50N06
الشركة المصنعة: onsemi
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: TO-220-3
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام FQP50N06 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ FQP50N06، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tube
Series:
QFET®
ProductStatus:
Last Time Buy
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
41 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1540 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
120W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
FQP50N06.pdf

FQP50N06 - الأسئلة الشائعة

هل FQP50N06 متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض FQP50N06 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 4449. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ FQP50N06؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ FQP50N06 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل FQP50N06 أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير FQP50N06 من onsemi عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ FQP50N06؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ FQP50N06؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ FQP50N06. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	FQI7N80TU	FQD4N20TM	FQP3N30	FQPF19N10	FQD3P50TM
المصنع	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	QFET®	QFET®	QFET®	QFET®	QFET®
ProductStatus	Last Time Buy	Last Time Buy	Last Time Buy	Last Time Buy	Last Time Buy
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)	50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	22mOhm @ 25A, 10V	22mOhm @ 25A, 10V	22mOhm @ 25A, 10V	22mOhm @ 25A, 10V	22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	41 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±25V	±25V	±25V	±25V	±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1540 pF @ 25 V	1540 pF @ 25 V	1540 pF @ 25 V	1540 pF @ 25 V	1540 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	120W (Tc)	120W (Tc)	120W (Tc)	120W (Tc)	120W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole