جميع الفئات

المزيد من فئات المنتجات

IXYS IXFA3N80

Name: IXFA3N80
Brand: IXYS
SKU: IXFA3N80
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: IXFA3N80

المصنع: IXYS

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: TO-263AA (IXFA)

ورقة البيانات: IXFA3N80.pdf

الوصف: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج IXFA3N80 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ IXFA3N80؟

IXFA3N80 هو منتج من IXYS ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد IXFA3N80، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ IXFA3N80

نظرة عامة على المنتج

IXFA3N80 هو منتج من IXYS ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: IXFA3N80
الشركة المصنعة: IXYS
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: TO-263AA (IXFA)
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام IXFA3N80 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ IXFA3N80، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tube
Series:
HiPerFET™
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
3.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
3.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
24 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
685 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
100W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
IXFA3N80.pdf

IXFA3N80 - الأسئلة الشائعة

هل IXFA3N80 متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض IXFA3N80 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 3518. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ IXFA3N80؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ IXFA3N80 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل IXFA3N80 أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير IXFA3N80 من IXYS عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ IXFA3N80؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ IXFA3N80؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ IXFA3N80. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	VMO550-01F	IXFX180N07	IXFR34N80	IXFK44N60	IXFR12N100
المصنع	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™	HiPerFET™
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	800 V	800 V	800 V	800 V	800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	3.6Ohm @ 500mA, 10V	3.6Ohm @ 500mA, 10V	3.6Ohm @ 500mA, 10V	3.6Ohm @ 500mA, 10V	3.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4.5V @ 1mA	4.5V @ 1mA	4.5V @ 1mA	4.5V @ 1mA	4.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	24 nC @ 10 V	24 nC @ 10 V	24 nC @ 10 V	24 nC @ 10 V	24 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	685 pF @ 25 V	685 pF @ 25 V	685 pF @ 25 V	685 pF @ 25 V	685 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	100W (Tc)	100W (Tc)	100W (Tc)	100W (Tc)	100W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount