المزيد من فئات المنتجات

NXP USA Inc. PHD3055E,118

Name: PHD3055E,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD3055E,118
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: PHD3055E,118

المصنع: NXP USA Inc.

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: DPAK

ورقة البيانات: PHD3055E,118.pdf

الوصف: MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج PHD3055E,118 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ PHD3055E,118؟

PHD3055E,118 هو منتج من NXP USA Inc. ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد PHD3055E,118، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ PHD3055E,118

نظرة عامة على المنتج

PHD3055E,118 هو منتج من NXP USA Inc. ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: PHD3055E,118
الشركة المصنعة: NXP USA Inc.
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: DPAK
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام PHD3055E,118 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ PHD3055E,118، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Bulk
Series:
TrenchMOS™
ProductStatus:
Obsolete
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
10.3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
150mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
5.8 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
250 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
33W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
PHD3055E,118.pdf

PHD3055E,118 - الأسئلة الشائعة

هل PHD3055E,118 متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض PHD3055E,118 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 3520. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ PHD3055E,118؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ PHD3055E,118 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل PHD3055E,118 أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير PHD3055E,118 من NXP USA Inc. عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ PHD3055E,118؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ PHD3055E,118؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ PHD3055E,118. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	BUK7535-55A,127	BUK7528-55A,127	BUK7507-30B,127	BUK7516-55A,127	BUK9514-55A,127
المصنع	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
Packaging	Tape & Reel (TR),Bulk	Tape & Reel (TR),Bulk	Tape & Reel (TR),Bulk	Tape & Reel (TR),Bulk	Tape & Reel (TR),Bulk
Series	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™
ProductStatus	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete	Obsolete
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	10.3A (Tc)	10.3A (Tc)	10.3A (Tc)	10.3A (Tc)	10.3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	150mOhm @ 5.5A, 10V	150mOhm @ 5.5A, 10V	150mOhm @ 5.5A, 10V	150mOhm @ 5.5A, 10V	150mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 1mA	4V @ 1mA	4V @ 1mA	4V @ 1mA	4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	5.8 nC @ 10 V	5.8 nC @ 10 V	5.8 nC @ 10 V	5.8 nC @ 10 V	5.8 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	33W (Tc)	33W (Tc)	33W (Tc)	33W (Tc)	33W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount