المزيد من فئات المنتجات

Vishay Siliconix SIHFBF30S-GE3

Name: SIHFBF30S-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHFBF30S-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: SIHFBF30S-GE3

المصنع: Vishay Siliconix

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: D²PAK (TO-263)

ورقة البيانات: SIHFBF30S-GE3.pdf

الوصف: MOSFET N-CHANNEL 900V

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج SIHFBF30S-GE3 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ SIHFBF30S-GE3؟

SIHFBF30S-GE3 هو منتج من Vishay Siliconix ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد SIHFBF30S-GE3، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ SIHFBF30S-GE3

نظرة عامة على المنتج

SIHFBF30S-GE3 هو منتج من Vishay Siliconix ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CHANNEL 900V. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: SIHFBF30S-GE3
الشركة المصنعة: Vishay Siliconix
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: D²PAK (TO-263)
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام SIHFBF30S-GE3 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ SIHFBF30S-GE3، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
3.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
78 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1200 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
125W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
SIHFBF30S-GE3.pdf

SIHFBF30S-GE3 - الأسئلة الشائعة

هل SIHFBF30S-GE3 متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض SIHFBF30S-GE3 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 998. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ SIHFBF30S-GE3؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ SIHFBF30S-GE3 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل SIHFBF30S-GE3 أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير SIHFBF30S-GE3 من Vishay Siliconix عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ SIHFBF30S-GE3؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ SIHFBF30S-GE3؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ SIHFBF30S-GE3. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	SIHP18N50C-E3	IRFIBE20GPBF	SIHF9Z24STRR-GE3	IRF830BPBF-BE3	SIHP6N40D-BE3
المصنع	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	900 V	900 V	900 V	900 V	900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)	3.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	3.7Ohm @ 2.2A, 100V	3.7Ohm @ 2.2A, 100V	3.7Ohm @ 2.2A, 100V	3.7Ohm @ 2.2A, 100V	3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	78 nC @ 10 V	78 nC @ 10 V	78 nC @ 10 V	78 nC @ 10 V	78 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V	±20V	±20V	±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1200 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	125W (Tc)	125W (Tc)	125W (Tc)	125W (Tc)	125W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount