+86 075582561136
رفع BOM
Vishay Siliconix SISB46DN-T1-GE3
- رقم الجزء
- SISB46DN-T1-GE3
- المصنع
- Vishay Siliconix
- الطرد
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- ورقة البيانات
-
SISB46DN-T1-GE3.pdf
- الوصف
- MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
- مراجعة الجودة:
-
★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC
تمت مراجعة معلومات المنتج SISB46DN-T1-GE3 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.
- الكمية
السعر الوحدة$0
السعر الإجمالي$0
- الدفع
- الشحن
ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ SISB46DN-T1-GE3؟
SISB46DN-T1-GE3 هو منتج من Vishay Siliconix ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - مصفوفات. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.
معدات الاتصالات والشبكات
مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.
أنظمة السيارات والتحكم
يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.
الأتمتة الصناعية
مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.
مراكز البيانات ومنصات السحابة
يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.
يساعد FudongIC العملاء على توريد SISB46DN-T1-GE3، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.
اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ SISB46DN-T1-GE3نظرة عامة على المنتج
SISB46DN-T1-GE3 هو منتج من Vishay Siliconix ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - مصفوفات. وصف المنتج: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.
الميزات الرئيسية
- رقم الجزء: SISB46DN-T1-GE3
- الشركة المصنعة: Vishay Siliconix
- الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - مصفوفات
- الحزمة: PowerPAK® 1212-8 Dual
- يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
- مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة
مجالات التطبيق
يمكن استخدام SISB46DN-T1-GE3 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.
الدعم في التوريد والدعم الفني
إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ SISB46DN-T1-GE3، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.
منتجات ذات صلة
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):40V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:34A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:11.71mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:11nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:1100pF @ 20V
- Power-Max:23W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- الفئة:
- ورقة البيانات
SISB46DN-T1-GE3 - الأسئلة الشائعة
يتم عرض SISB46DN-T1-GE3 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 2424. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.
الحد الأدنى لكمية الطلب لـ SISB46DN-T1-GE3 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.
يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير SISB46DN-T1-GE3 من Vishay Siliconix عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.
تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.
حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ SISB46DN-T1-GE3. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.
| الصورة |  |
 |
 |
 |
 |
| رقم الجزء | SI3900DV-T1-E3 | SI4936ADY-T1-E3 | SI1024X-T1-GE3 | SIZ988DT-T1-GE3 | SI6954ADQ-T1-E3 |
| المصنع | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40V | 40V | 40V | 40V | 40V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 34A (Tc) | 34A (Tc) | 34A (Tc) | 34A (Tc) | 34A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11.71mOhm @ 5A, 10V | 11.71mOhm @ 5A, 10V | 11.71mOhm @ 5A, 10V | 11.71mOhm @ 5A, 10V | 11.71mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1100pF @ 20V | 1100pF @ 20V | 1100pF @ 20V | 1100pF @ 20V | 1100pF @ 20V |
| Power-Max | 23W | 23W | 23W | 23W | 23W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- ダイオード - ブリッジ整流器(8096)
- ダイオード - 整流器 - アレイ(14902)
- ダイオード - 整流器 - シングル(50121)
- ダイオード - RF(2475)
- ダイオード - 可変容量 (バリキャップ、バラクタ)(1171)
- ダイオード - ツェナー - アレイ(1826)
- ダイオード - ツェナー - シングル(65535)
- パワー ドライバ モジュール(1273)
- サイリスタ - DIAC、SIDAC(317)
- サイリスタ - SCR(4646)
- サイリスタ - SCR - モジュール(3097)
- サイリスタ - TRIAC(3481)
- トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ(2078)
- トランジスタ - バイポーラ (BJT) -アレイ、プリバイアス(1969)
- トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF(1914)
- トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル(23278)
- トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス(4111)
- トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ(5629)
- トランジスタ - FET、MOSFET - RF(2777)
- トランジスタ - FET、MOSFET - シングル(42446)
SISB46DN-T1-GE3 معلومات ذات صلة
تشمل الأجزاء التالية "SISB46DN-T1-GE3" ISSI، حلول السيليكون المتكاملة في الشركة SISB46DN-T1-GE3.
- رقم الجزء
- المصنع
- الطرد
- الوصف
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
-
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
-
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
الأجزاء التالية هي أجزاء بحث شائعة في: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - مصفوفات.
يرجى إرسال RFQ.
يرجى إرسال RFQ. سنرد فورًا.
-
EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
-
BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ متوسط RFQ اليومي
- 20,000.000 وحدة المنتج القياسية
- 1800+ المصنعين حول العالم
- 15,000+ المخزن المتاح
