جميع الفئات

المزيد من فئات المنتجات

SemiQ GP2T080A120H

Name: GP2T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: GP2T080A120H
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: GP2T080A120H

المصنع: SemiQ

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: TO-247-4

ورقة البيانات: GP2T080A120H.pdf

الوصف: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج GP2T080A120H بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ GP2T080A120H؟

GP2T080A120H هو منتج من SemiQ ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد GP2T080A120H، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ GP2T080A120H

نظرة عامة على المنتج

GP2T080A120H هو منتج من SemiQ ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: GP2T080A120H
الشركة المصنعة: SemiQ
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: TO-247-4
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام GP2T080A120H في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ GP2T080A120H، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
20V
RdsOn(Max)@IdVgs:
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
61 nC @ 20 V
Vgs(Max):
+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1377 pF @ 1000 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
188W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
GP2T080A120H.pdf

GP2T080A120H - الأسئلة الشائعة

هل GP2T080A120H متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض GP2T080A120H على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 3717. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ GP2T080A120H؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ GP2T080A120H هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل GP2T080A120H أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير GP2T080A120H من SemiQ عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ GP2T080A120H؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ GP2T080A120H؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ GP2T080A120H. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	GP2T080A120H	GCMX080B120S1-E1	GCMS080B120S1-E1	GP2T040A120U	GP2T040A120H
المصنع	SemiQ	SemiQ	SemiQ	SemiQ	SemiQ
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	35A (Tc)	35A (Tc)	35A (Tc)	35A (Tc)	35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	20V	20V	20V	20V	20V
RdsOn(Max)@IdVgs	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V	100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA	4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	61 nC @ 20 V	61 nC @ 20 V	61 nC @ 20 V	61 nC @ 20 V	61 nC @ 20 V
Vgs(Max)	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V	+25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1377 pF @ 1000 V	1377 pF @ 1000 V	1377 pF @ 1000 V	1377 pF @ 1000 V	1377 pF @ 1000 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	188W (Tc)	188W (Tc)	188W (Tc)	188W (Tc)	188W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole