جميع الفئات

المزيد من فئات المنتجات

IXYS IXTJ4N150

Name: IXTJ4N150
Brand: IXYS
SKU: IXTJ4N150
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

مقارنة

رقم الجزء: IXTJ4N150

المصنع: IXYS

الفئة:: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية

الطرد: TO-247

ورقة البيانات: IXTJ4N150.pdf

الوصف: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247

مراجعة الجودة:: ★★★★★ 5.0/5 تمت المراجعة بواسطة فريق QC في FudongIC

تمت مراجعة معلومات المنتج IXTJ4N150 بناءً على رقم الجزء والشركة المصنعة والحزمة وحالة المخزون ومتطلبات التوريد وتوفر الشحن.

الكمية: RFQ إضافة إلى قائمة RFQ اشترِ الآن إضافة إلى السلة

السعر الوحدة$0

السعر الإجمالي$0

الدفع

الشحن

التطبيقات

🔍ما سيناريوهات التطبيق المناسبة لـ IXTJ4N150؟

IXTJ4N150 هو منتج من IXYS ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. يناسب المشاريع الإلكترونية التي تتطلب توريداً مستقراً، مراجعة المعايير الفنية، تأكيد المخزون، دعم الأسعار ومطابقة BOM.

معدات الاتصالات والشبكات

مناسب لوحدات الاتصالات ومحطات القاعدة ومعدات الشبكات ومشاريع نقل البيانات الصناعية التي تتطلب توريداً مستقراً للمكونات.

أنظمة السيارات والتحكم

يمكن استخدامه في إلكترونيات السيارات ووحدات التحكم وأنظمة الحساسات والمشاريع المدمجة التي تتطلب التحقق من المعايير والتوريد.

الأتمتة الصناعية

مفيد للمعدات الصناعية والتحكم في المحركات وأجهزة القياس وأنظمة الأتمتة والتجميعات الإلكترونية.

مراكز البيانات ومنصات السحابة

يدعم الخوادم ومراكز البيانات ومزودات الطاقة ولوحات التحكم والأنظمة الإلكترونية عالية الاعتمادية.

يساعد FudongIC العملاء على توريد IXTJ4N150، بما في ذلك فحص المخزون وتأكيد السعر ومطابقة BOM ودعم الاختيار الفني.

اطلب عرض سعر ودعماً فنياً لـ IXTJ4N150

نظرة عامة على المنتج

IXTJ4N150 هو منتج من IXYS ضمن فئة ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية. وصف المنتج: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247. يمكن لـ FudongIC دعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار ومطابقة BOM والاختيار الفني لهذا الجزء.

الميزات الرئيسية

رقم الجزء: IXTJ4N150
الشركة المصنعة: IXYS
الفئة: ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
الحزمة: TO-247
يدعم فحص الداتا شيت وتأكيد المخزون وعرض الأسعار
مناسب للعينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة

مجالات التطبيق

يمكن استخدام IXTJ4N150 في أنظمة الاتصالات والأتمتة الصناعية وإلكترونيات السيارات ومراكز البيانات والأنظمة المدمجة وتقنيات الطاقة والتحكم وغيرها من المشاريع الإلكترونية.

الدعم في التوريد والدعم الفني

إذا كنت تبحث عن المخزون الحالي أو أسعار الكميات أو مدة التسليم أو البدائل أو المستندات الفنية لـ IXTJ4N150، يمكنك إرسال استفسار عبر FudongIC. سيقدم فريقنا خطة توريد مناسبة بناءً على سيناريو التطبيق ومتطلبات المعايير والحزمة وكمية الشراء.

منتجات ذات صلة

Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
2.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
44.5 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
1576 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
110W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
الفئة:
ترانزستورات - ترانزستورات تأثير المجال (FET)، ترانزستورات موسفت (MOSFET) - أحادية
ورقة البيانات
IXTJ4N150.pdf

IXTJ4N150 - الأسئلة الشائعة

هل IXTJ4N150 متوفر حالياً في المخزون؟▼

يتم عرض IXTJ4N150 على FudongIC مع معلومات المخزون الحالية. المخزون المعروض هو 3767. نظراً لأن مخزون المكونات الإلكترونية يتغير كثيراً، يرجى إرسال طلب RFQ لتأكيد المخزون والسعر وموعد التسليم في الوقت الفعلي.

ما الحد الأدنى لكمية الطلب لـ IXTJ4N150؟▼

الحد الأدنى لكمية الطلب لـ IXTJ4N150 هو 1 قطعة. يدعم FudongIC طلبات العينات والكميات الصغيرة والشراء بالجملة.

هل IXTJ4N150 أصلي وموثوق؟▼

يركز FudongIC على توريد المكونات الإلكترونية الأصلية والموثوقة. يتم توفير IXTJ4N150 من IXYS عبر قنوات توريد موثوقة. يمكن أيضاً دعم فحص الجودة وتأكيد التغليف والتحقق من الشحن حسب الحاجة.

ما مدة التسليم المعتادة لـ IXTJ4N150؟▼

تعتمد مدة التسليم على موقع المخزون وكمية الطلب والوجهة. بالنسبة للمخزون المتاح، يمكن ترتيب الشحن السريع عبر DHL أو FedEx أو UPS أو خدمات الشحن السريع الدولية الأخرى.

هل توجد بدائل أو قطع مكافئة لـ IXTJ4N150؟▼

حسب متطلبات التطبيق، يمكن لـ FudongIC المساعدة في التحقق من البدائل أو القطع المكافئة لـ IXTJ4N150. يرجى إرسال المواصفات المطلوبة والكمية المستهدفة وتفاصيل التطبيق.

الصورة
رقم الجزء	IXTJ4N150	IXFN90N170SK	IXTF1N250	IXTL2N470	IXTH10P50
المصنع	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1500 V	1500 V	1500 V	1500 V	1500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	2.5A (Tc)	2.5A (Tc)	2.5A (Tc)	2.5A (Tc)	2.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	6Ohm @ 2A, 10V	6Ohm @ 2A, 10V	6Ohm @ 2A, 10V	6Ohm @ 2A, 10V	6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA	5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	44.5 nC @ 10 V	44.5 nC @ 10 V	44.5 nC @ 10 V	44.5 nC @ 10 V	44.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±30V	±30V	±30V	±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1576 pF @ 25 V	1576 pF @ 25 V	1576 pF @ 25 V	1576 pF @ 25 V	1576 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	110W (Tc)	110W (Tc)	110W (Tc)	110W (Tc)	110W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole